三星半导体技术新突破,微美全息战略衍生向芯片

  发布时间: 2020年08月05日 08:15:52   作者: 广丰能源网

三星电子官网发文称,通过发现新的半导体材料,已经向“理想半导体”迈出了一步,未来的半导体芯片将会变得更小更快。三星电子技术学院最近表示,他们与蔚山科技学院合作,成功发现了新材料“非晶氮化硼(a-BN)”。这是在英国曼彻斯特大学的研究团队发现石墨烯被称为“理想的新材料”的16年后,又一种具有重大意义的新材料被发现。

三星官网的文章说,解决半导体材料的挑战,关键是看二维材料。基于现有硅半导体技术的挑战之一,是“提高集成度”。随着集成度的提高,可以快速处理更多信息,但是诸如电气电路之间干扰的技术问题也随之突出。二维材料正成为解决行业内苦恼的钥匙,因此而备受瞩目。二维材料即使在原子级最小的物质单位上,也具有导体、非导体或半导体的强大特性,并且非常薄也难以弯曲,它的厚度大约为A4纸(约0.1mm)10万分之一的厚度。

三星半导体技术新突破,微美全息战略衍生向芯片领域升级

其中最具代表性的是“石墨烯”。多年来,三星电子技术研究所一直在研究和开发将石墨烯应用于大规模半导体的生产应用。基于这种源技术,近来他们专注于将石墨烯应用于布线。随着半导体的集成度的增加,电路之间的线变得更窄并且阻抗增加,这是因为石墨烯的紧密的六角结构形态,具有最薄最硬和减小电阻的屏障作用。

非晶态氮化硼是白色石墨烯的衍生物,它由氮和硼原子组成,但具有没有定型的分子结构,可以将其与白色石墨烯分开。另外,为了将半导体小型化,将其作为核心要素之一的介质,它是半导体小型化的关键元素之一,可以起到阻止电干扰的作用。换句话说,它是克服半导体集成化更高后,产生电磁干涉这个难题的钥匙。三星电子技术研究所研究员申贤真表示:“为了将石墨烯应用于半导体工程,需要在400°C环境下,直接在硅片上生成的技术。”

研究小组不仅确保了世界上最低1.78的介电常数,而且还证明了该材料可以在400°C环境下,在半导体基板上大面积生成,从而朝着工艺创新迈出了一步步。非晶氮化硼可应用于包括存储器半导体(DRAM、NAND等)的半导体系统,并且有望用于要求高性能的服务器服务器用内存半导体。

三星认为,无定形氮化硼有望广泛应用于DRAM内存、NAND闪存的制造,特别适合下一代大规模服务器存储解决方案。

三星显然正在加大其半导体业务的研发力度,以追求其新的K-Chip技术的愿景。这家韩国科技巨头已经计划在其祖国进行学术合作和合作。

许多人并不知道三星拥有自己的代工厂,也生产芯片。尽管它大量使用自己的设计,但与竞争对手相比,有时自己的设计却黯然失色。一个明显的例子是在高通的Snapdragon 865 SoC被证明可以提供更好的整体性能之后,将Exynos 990SoC替换为高通的Snapdragon 865 SoC。

三星半导体技术新突破,微美全息战略衍生向芯片领域升级

这也导致了公司移动芯片部门的“屈辱”感。因此,毫不奇怪,三星现在通过其研发团队越来越重视其半导体业务。此外,该公司也一直专注于其人工智能解决方案,Sebastian Seung博士从首席研究科学家晋升为三星研究负责人。

三星之所以在本国进行大量投资的原因之一,也是在危机时期提振经济。虽然,要确定新的“ K片段”的实际表现还为时过早还为时过早。三星已经将赌注押在了这项新技术上,并且到目前为止对它的能力很有信心,但是竞争激烈,因为像高通这样的行业巨头也在推进自己的计划。

半导体是导电性介于导体和绝缘体中间的一类物质。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。半导体主要由四个组成部分组成:集成电路,光电器件,分立器件,传感器,由于集成电路又占了器件80%以上的份额,因此通常将半导体和集成电路等价。集成电路按照产品种类又主要分为四大类:微处理器,存储器,逻辑器件,模拟器件。通常我们统称他们为芯片。

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